n沟道MOS的好坏可以通过几个方面来测量。

首先，可以通过测量其开关特性参数，如门截止电压、漏极电流等来评估其性能。

其次，还可以通过测量其转移特性参数，如输出电阻、增益等来评估其性能表现。此外，还可以考察其电流响应特性，比如低温下的响应情况。综上所述，通过多个方面的测量与评估，可以全面地了解n沟道MOS的好坏，从而更为准确地应用该器件。