MIS结构C-V特性受到多种因素影响，其中最主要的因素是氧化物介电常数、衬底掺杂浓度和金属/半导体接触电阻等。

介电常数决定了氧化物的厚度和衬底和氧化物间的电场强度，而衬底掺杂浓度会影响介电层内的电场分布和电荷密度分布，接触电阻则影响了金属/半导体界面的电子传输。这些因素对C-V特性的影响复杂，需要在设计MIS结构时充分考虑这些因素的交互作用。